三星、SK 海力士、美光被控串谋制造内存短缺以谋取暴利
一直被认为是 AI 需求导致存储价格高涨，难道有别的原因！？
在全球内存价格持续飙升之际，三星电子、SK 海力士 (SK Hynix) 和美光科技 (Micron) 三大 DRAM 巨头于 6 月 25 日在美国加州北部地方法院遭遇集体诉讼，案号 3:26-cv-06345，将由法官 Noel Wise 主审。
原告方包括多名美国消费者及中小企业，指控三家公司联手人为压低普通 DRAM 供应量，借此推高市场价格，令消费者和企业蒙受损失。
诉状指出，三家公司以”转型 HBM（高带宽内存）”为由，同步削减传统 DDR3 和 DDR4 内存产量，而美光更趁 DRAM 利润处于历史高位之际，直接关停旗下消费级内存品牌 Crucial。
原告认为，这种行为在经济逻辑上说不通，更像是有预谋的协调行动，而非各自独立的市场决策，并将这场内存价格危机戏称为”RAMpocalypse”（内存末日）。
根据分析机构 Jefferies 的预测，2026 年第三季度内存价格还将环比再涨 40% 至 50%，第四季度续涨 30% 至 40%，要到 2028 年才有望趋于缓和。
过去四年间，部分规格的 DDR4 内存价格已累计飙涨近 700%，苹果近期也以内存成本上涨为由，对 iPad 和 Mac 产品线进行了大幅提价。
值得关注的是，这并非三家公司第一次卷入类似风波了。早在 2005 年，美国司法部就曾对三星开出 3 亿美元罚款，认定其在 1999 年至 2002 年间参与操控 DRAM 价格；三星和当时的 Hynix 合计缴纳罚金约 7.31 亿美元，多名高管甚至因此身陷囹圄。
此次诉状中，原告还特别提到，涉事公司事后竟将部分曾因此入狱的高管重新录用并委以重任，被视为是一种”有恃无恐”的信号。
当然，客观来说，此次内存短缺背后有一定的真实需求支撑——AI 基础设施建设带动了对 HBM 和服务器 DDR5 的庞大需求，三大原厂将大量产能向高利润的高端芯片倾斜，确实导致传统消费级 DRAM 供应收紧。
但原告方认为，即便如此，三家公司的应对方式也已超出正常市场行为的范畴。
目前三家公司均未就此案公开表态，诉讼指控也尚未经法庭认定。
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来源: WCCFTech
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