Micron kini dilaporkan sedang menguji kemampuan modul memori terbaru mereka, iaitu modul DDR5-9200 dengan kapasiti 512GB yang kelak akan digunakan pada pusat-pusat data yang memerlukan jumlah memori yang besar dengan kelajuan pantas.
Modul memori ini hadir dalam rekabentuk RDIMM yang secara lazimnya digunakan dalam rekaan memori bertindih untuk kapasiti yang lebih banyak dalam satu modul, dan penggunaan kuasa elektrik yang lebih cekap. Micron mengatakan bahawa satu modul memori 512GB ini hanya menggunakan sebanyak 16W kuasa elektrik berbanding dengan 44W yang digunakan melalui empat batang modul memori 128GB sebagai perbandingan.
Modul tersebut dilaporkan telah diuji oleh Intel dan AMD untuk platform-platform mesin pelayan mereka, dan prestasinya dilihat berada pada paras yang memuaskan, dan dijangka akan diuji oleh pelanggan-pelanggan sedia ada Micron kelak. Dengan modul memori ini, sebuah mesin pelayan dwi-soket yang mempunyai 24 slot memori terbina kelak boleh memuatkan 12TB memori didalamnya.
Micron juga dijangka akan menghasilkan memori ini pada skala besar-besaran pada pertengahan tahun 2027 kelak, dengan kapasiti pengeluaran bergantung kepada permintaan untuk memori ini oleh pelanggan-pelanggan mereka. Jangkaannya ialah modul memori ini boleh digunakan untuk menambahkan kapasiti memori dan juga mengurangkan penggunaan kuasa elektrik pada masa yang sama.
Sumber: Micron
