Samsung baru-baru ini telah memperkenalkan teknologi memori dan storan terbaru bersama-sama produk konsep mereka di acara Future of Memory and Storage yang sedang berlangsung di Amerika Syarikat. Kedua-dua komponen ini dibangunkan untuk memecutkan lagi pembangunan teknologi pusat data dan AI yang masih ketandusan komponen-komponen ini.
Komponen pertama ialah memori LPDDR5X-PIM (Processing In Memory), yang merupakan komponen memori LPDDR5X yang hadir dengan kemampuan untuk memproses data secara terus dalam memori, yang dikatakan akan membantu dalam kecekapan penghantaran data dan juga membantu mengurangkan penggunaan tenaga elektrik oleh komponen CPU/GPU untuk memproses data asas.
Samsung turut memperlihatkan penawaran komponen V-NAND (NAND bertindih) terbaru mereka, iaitu Samsung V10 BV-NAND yang kini tampil dengan tindanan komponen storan NAND lebih dari 400 lapis, dengan ketumpatan data 59 peratus lebih tinggi berbanding penawaran versi sebelum ini, dengan kadar penghantaran data yang lebih tinggi, tetapi penggunaan kuasa yang lebih rendah.
Dua komponen konsep yang diperlihatkan di acara tersebut juga adalah komponen memori zHBM dan storan zNAND-O. Komponen memori zHBM merupakan memori yang boleh ditindankan secara terus pada komponen pemecut/pemprosesan AI untuk mengurangkan lengah masa dalam penghantaran data dari komponen memori ke pemproses.
Komponen zNAND-O pula dibina menggunakan proses teknologi tindanan komponen NAND sama seperti storan VNAND yang menggunakan konfigurasi empat dan lapan lapisan yang boleh digunakan pada peranti AI pengguna untuk mempercepatkan kadar pembacaan dan penulisan data dalam peranti.
Sumber: Samsung Newsroom
