Baru-baru ini, syarikat pengeluar komponen memori Micron dilaporkan sedang membangunkan teknologi memori GDDR7 baru yang mana cip-cip memori tersebut boleh ditindan sama seperti apa yang dilakukan pada memori High Bandwidth Memory (HBM).
Perkara ini dilaporkan oleh laman berita teknologi Korea Selatan ETNews yang mengatakan bahawa Micron kini sedang berada dalam fasa rekaan dan penyelidikan dan sedang melihat apakah kelengkapan tambahan yang diperlukan untuk menghasilkan memori GDDR7 yang baru ini. Untuk fasa awal ini, Micron juga dilaporkan akan cuba untuk menghasilkan cip memori GDDR7 bertindan dengan empat lapisan cip memori.
Memori GDDR secara lazimnya digunakan bersama-sama komponen GPU untuk membina kad grafik kelas gaming, tetapi dengan industri pengeluaran cip pemprosesan kini memberi fokus penuh terhadap pemerkasaan sektor teknologi AI, Micron dikatakan akan menggunakan teknologi tindanan memori GDDR7 ini untuk digunakan bersama-sama teknologi pemprosesan AI terlebih dahulu.
Kelebihan teknologi tindanan ini, seperti yang boleh dilihat pada memori HBM ialah ia boleh memuatkan lebih banyak cip GDDR7, penggunaan kuasa yang lebih cekap dan juga kelajuan penghantaran data yang jauh lebih pantas.
Micron dijangka akan menguji proses pengeluaran cip memori GDDR7 yang ditindan ini pada separuh kedua tahun ini, dengan sampel cip-cip memori pertama dilihatkan pada awal tahun hadapan. Secara teknikalnya, cip memori ini juga boleh dimanfaatkan pada kad-kad grafik kelas gaming, tetapi ia tidak diketahui jika Micron akan menjual cip-cip memori ini untuk tujuan tersebut.
